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FQD20N06LETM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 7281
說明：: MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level

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FQD20N06LETM PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：45 ns
工廠包裝數(shù)量：750
上升時(shí)間：220 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：11 S
下降時(shí)間：100 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.06 Ohms
漏極連續(xù)電流：17.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQD20N06LETM的詳細(xì)信息，包括FQD20N06LETM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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