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FQD18N20V2TM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252AA
數(shù)量：: 7137
說明：: MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series

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FQD18N20V2TM PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：38 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：133 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：11 S
下降時間：62 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.14 Ohms
漏極連續(xù)電流：15 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQD18N20V2TM的詳細信息，包括FQD18N20V2TM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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