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FQB6N80TM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: D2PAK（TO-263）
數量：: 6417
說明：: MOSFET 800V N-Channel QFET

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FQB6N80TM PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：FQB6N80TM_NL
典型關閉延遲時間：65 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：70 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：5.9 S
下降時間：45 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.95 Ohms
漏極連續電流：5.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQB6N80TM的詳細信息，包括FQB6N80TM廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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