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FQB60N03LTM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 1601
說(shuō)明：: MOSFET 30V N-Ch Logic Level

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FQB60N03LTM PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：10 ns
上升時(shí)間：155 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：75 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：13.5 Ohms
漏極連續(xù)電流：51 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQB60N03LTM的詳細(xì)信息，包括FQB60N03LTM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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