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FQB55N10TM

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 6165  
說明:
 MOSFET 100V N-Channel QFET
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FQB55N10TM-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

FQB55N10TM PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:110 ns
工廠包裝數量:800
上升時間:250 ns
功率耗散:3.75 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :38 S
下降時間:140 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.026 Ohms
漏極連續電流:55 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB55N10TM的詳細信息,包括FQB55N10TM廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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