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FQB3N80TM

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 5976  
說明:
 MOSFET 800V N-Channel QFET
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FQB3N80TM-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

FQB3N80TM PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:30 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時間:40 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :2.85 S
下降時間:30 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5 Ohms
漏極連續(xù)電流:3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB3N80TM的詳細信息,包括FQB3N80TM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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