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FQB27N25TM

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263
數(shù)量:
 5688  
說明:
 MOSFET
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FQB27N25TM-TO-263圖片

FQB27N25TM PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:80 ns
上升時間:270 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :24 S
下降時間:120 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.11 Ohms
漏極連續(xù)電流:25.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:250 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB27N25TM的詳細信息,包括FQB27N25TM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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