色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FQB1N60TM

FQB1N60TM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263
數量：: 5544
說明：: MOSFET 600V N-Channel QFET

一、本商品被瀏覽0次.

FQB1N60TM PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：7 ns
上升時間：25 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：11.5 Ohms
漏極連續電流：1.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQB1N60TM的詳細信息，包括FQB1N60TM廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1