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FQB17N08TM

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數(shù)量:
 5454  
說明:
 MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level
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FQB17N08TM-D2PAK(TO-263)圖片

FQB17N08TM PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:15 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時間:60 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :5.3 S
下降時間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.115 Ohms
漏極連續(xù)電流:16.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB17N08TM的詳細信息,包括FQB17N08TM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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