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FQA11N90_F109

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-3P
數量:
 4059  
說明:
 MOSFET 900V N-Channel QFET
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FQA11N90_F109-TO-3P圖片

FQA11N90_F109 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:165 ns
工廠包裝數量:30
上升時間:135 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:90 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.96 Ohms
漏極連續電流:11.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:900 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQA11N90_F109的詳細信息,包括FQA11N90_F109廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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