色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > FMMT593TC

FMMT593TC

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 1980
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power

一、本商品被瀏覽0次.

FMMT593TC PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：10000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：0.5 W
直流電流增益 hFE 最大值：100 at 1 mA at 5 V
集電極連續(xù)電流：- 1 A
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100 at 1 mA at 5 V, 100 at 250 mA at 5 V, 100 at 500 mA at 5 V, 50 at 1 A at 5 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：50 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
集電極—射極飽和電壓：- 100 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 100 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 120 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

以上是FMMT593TC的詳細信息，包括FMMT593TC廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：