色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > FMBM5551

FMBM5551

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: Super SOT-6
數量：: 17556
說明：: 兩極晶體管 - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier

一、本商品被瀏覽0次.

FMBM5551 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：FMBM5551_NL
工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：700 mW
封裝形式：Super SOT-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：80 at 1 mA at 5 V
增益帶寬產品fT：300 MHz
最大直流電集電極電流：0.6 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：160 V
集電極—基極電壓 VCBO：180 V
晶體管極性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FMBM5551的詳細信息，包括FMBM5551廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：