色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > FJP5304D

FJP5304D

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 2889
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar

一、本商品被瀏覽0次.

FJP5304D PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-220-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：70 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：8 @ 2A，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：250mA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：1.5V @ 500mA，2.5A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：400 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：4 A
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：散裝
品牌：onsemi

以上是FJP5304D的詳細信息，包括FJP5304D廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：