色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > FJN3313RTA

FJN3313RTA

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92-3
數量：: 1611
說明：: 開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial

一、本商品被瀏覽0次.

FJN3313RTA PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：2000
最小工作溫度：- 55 C
發射極 - 基極電壓 VEBO：10 V
包裝形式：Ammo
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：0.3 W
峰值直流集電極電流：100 mA
集電極連續電流：0.1 A
集電極—發射極最大電壓 VCEO：50 V
直流集電極/Base Gain hfe Min：68
封裝形式：TO-92-3 Kinked Lead
安裝風格：Through Hole
典型電阻器比率：0.047
典型輸入電阻器：2.2 KOhms
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：開關晶體管 - 偏壓電阻器
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FJN3313RTA的詳細信息，包括FJN3313RTA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：