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FGB5N60UNDF

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數量:
 8901  
說明:
 IGBT 晶體管 600V 5A NPT IGBT
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FGB5N60UNDF-D2PAK(TO-263)圖片

FGB5N60UNDF PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:50
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-263AB (D2 PAK)
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:73.5 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 10 nA
在25 C的連續集電極電流:10 A
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:2.4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FGB5N60UNDF的詳細信息,包括FGB5N60UNDF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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