色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > FGA120N30DTU

FGA120N30DTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3P
數量：: 6138
說明：: IGBT 晶體管 300V PDP IGBT

一、本商品被瀏覽0次.

FGA120N30DTU PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：30
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續電流 Ic：120 A
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：290 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 250 nA
柵極/發射極最大電壓：+/- 30 V
集電極—射極飽和電壓：1.9 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：300 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGA120N30DTU的詳細信息，包括FGA120N30DTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：