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FF200R12KT3

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 62 mm
數量:
 1332  
說明:
 IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 295A
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FF200R12KT3 PDF參數資料

中文參數如下:

工廠包裝數量:10
安裝風格:Screw
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
封裝形式:62 mm
最大工作溫度:+ 125 C
在25 C的連續集電極電流:295 A
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Dual
產品:IGBT Silicon Modules
制造商:Infineon

以上是FF200R12KT3的詳細信息,包括FF200R12KT3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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