色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<strike id="4kk8a"></strike>

<li id="4kk8a"></li>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > FF150R12MS4G

FF150R12MS4G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: Econo D
數(shù)量：: 2259
說明：: IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A

一、本商品被瀏覽0次.

FF150R12MS4G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：12
安裝風(fēng)格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：Econo D
最大工作溫度：+ 125 C
在25 C的連續(xù)集電極電流：225 A
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Dual
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

以上是FF150R12MS4G的詳細(xì)信息，包括FF150R12MS4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

最新產(chǎn)品：