色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > FF100R12RT4

FF100R12RT4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：
數量：: 2093
說明：: IGBT 模塊 IGBT Module w/ IGBT & Diode

一、本商品被瀏覽0次.

FF100R12RT4 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：20 V
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：555 W
柵極—射極漏泄電流：100 nA
集電極—射極飽和電壓：2 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是FF100R12RT4的詳細信息，包括FF100R12RT4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器