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FF100R12RT4

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 
數量:
 2093  
說明:
 IGBT 模塊 IGBT Module w/ IGBT & Diode
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FF100R12RT4-圖片

FF100R12RT4 PDF參數資料

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中文參數如下:

最小工作溫度:- 40 C
柵極/發射極最大電壓:20 V
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:555 W
柵極—射極漏泄電流:100 nA
集電極—射極飽和電壓:2 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
產品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是FF100R12RT4的詳細信息,包括FF100R12RT4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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