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FES6J

廠家:
  onsemi
封裝:
 TO-277-3
數(shù)量:
 6714  
說明:
 DIODE GEN PURP 600V 6A TO277-3
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FES6J-TO-277-3圖片

FES6J PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:TO-277-3
封裝/外殼:TO-277,3-PowerDFN
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:45pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:2 μA @ 600 V
反向恢復(fù)時間 (trr):25 ns
速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):2.2 V @ 6 A
電流 - 平均整流 (Io):6A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:onsemi

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