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FDZ3N513ZT

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 4-UFBGA，WLCSP
數量：
 8622  
說明：
 MOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode
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FDZ3N513ZT-4-UFBGA，WLCSP圖片

FDZ3N513ZT PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：0.5 S
包裝形式：Reel
封裝形式：WLCSP
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：462 mOhms
漏極連續電流：1.1 A
閘/源擊穿電壓：5.5 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDZ3N513ZT的詳細信息，包括FDZ3N513ZT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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