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FDU8586

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 I-PAK
數量:
 702  
說明:
 MOSFET 20V 35A 5.5 OHM NCH IPAK PO
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FDU8586-I-PAK圖片

FDU8586 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:47 ns
工廠包裝數量:75
上升時間:11 ns
功率耗散:77 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :175 S
下降時間:25 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.004 Ohms
漏極連續電流:35 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDU8586的詳細信息,包括FDU8586廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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