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FDT55AN06LA0

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-261-4,TO-261AA
數量:
 531  
說明:
 MOSFET 60V N-Channel PowerTrench
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FDT55AN06LA0-TO-261-4,TO-261AA圖片

FDT55AN06LA0 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:23 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:24 ns
功率耗散:8.9 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-223
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.046 Ohms
漏極連續電流:12.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDT55AN06LA0的詳細信息,包括FDT55AN06LA0廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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