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FDS8333C_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOIC-8 Narrow
數量：: 8210
說明：: MOSFET N & PCh PowerTrench 3V

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FDS8333C_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：19 ns, 11 ns
上升時間：6 ns, 13 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：5 S
下降時間：1.5 ns, 2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：67 mOhms, 105 mOhms
漏極連續(xù)電流：4.1 A, - 3.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V, +/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS8333C_Q的詳細信息，包括FDS8333C_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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