色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDS6679Z

FDS6679Z

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 7155
說明：: MOSFET SO-8

一、本商品被瀏覽0次.

FDS6679Z PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：FDS6679Z_NL
典型關閉延遲時間：92 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：9 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：43 S
下降時間：54 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.009 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 13 A
閘/源擊穿電壓：- 25 V, + 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS6679Z的詳細信息，包括FDS6679Z廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ