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FDS6612A_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 7191  
說明:
 MOSFET SO-8 N-CH 30V
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FDS6612A_Q-SOIC-8 Narrow圖片

FDS6612A_Q PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:22 ns
上升時間:5 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :30 S
下降時間:3 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.019 Ohms
漏極連續電流:8.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDS6612A_Q的詳細信息,包括FDS6612A_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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