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FDP14AN06LA0_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 6498
說(shuō)明：: MOSFET Single N-Ch 60V Power Trench

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FDP14AN06LA0_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：24 ns
上升時(shí)間：169 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：50 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0128 Ohms
漏極連續(xù)電流：60 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP14AN06LA0_Q的詳細(xì)信息，包括FDP14AN06LA0_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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