FDN308P

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
數(shù)量：: 7827
說明：: MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V

一、本商品被瀏覽0次.

FDN308P PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：FDN308P_NL
典型關閉延遲時間：12 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：10 ns
功率耗散：0.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SuperSOT
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.086 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDN308P的詳細信息，包括FDN308P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產(chǎn)品：

軟開關 PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數(shù)校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關變換器、穩(wěn)壓器與控制器最新產(chǎn)品：