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FDMB668P

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-PowerWDFN
數量：: 1476
說明：: MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET

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FDMB668P PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：176 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：9 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：27 S
下降時間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MicroFET-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Hex Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：35 mOhms
漏極連續電流：- 6.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDMB668P的詳細信息，包括FDMB668P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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