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FDI150N10

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK（TO-262）
數(shù)量：: 2115
說明：: MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

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FDI150N10 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：86 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：164 ns
功率耗散：110 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：156 S
下降時間：83 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：12 mOhms
漏極連續(xù)電流：57 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDI150N10的詳細信息，包括FDI150N10廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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