色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDG6308P_Q

FDG6308P_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SC-70-6
數(shù)量：: 5355
說明：: MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench

一、本商品被瀏覽0次.

FDG6308P_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：7 ns
上升時間：15 ns
功率耗散：0.3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：2.1 S
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SC-70-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 0.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDG6308P_Q的詳細信息，包括FDG6308P_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ