色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

FDD6680_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-252AA
數量:
 4842  
說明:
 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
暫無電子元件圖

FDD6680_Q PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:29 ns
上升時間:7 ns
功率耗散:3.3 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252AA
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0086 Ohms
漏極連續電流:55 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDD6680_Q的詳細信息,包括FDD6680_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • FDD6685圖片

    FDD6685

    MOSFET 30V P-Channel PowerTrench

  • FDD6688S圖片

    FDD6688S

    MOSFET 30V N-CH DPAK POWER TRENCH SYNCFET

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 桃源县| 永福县| 湖南省| 安溪县| 水富县| 襄樊市| 满城县| 乐东| 钦州市| 抚松县| 嘉峪关市| 大同市| 舒城县| 措勤县| 河南省| 清苑县| 香河县| 平舆县| 长丰县| 绿春县| 仁化县| 吉首市| 东丽区| 墨竹工卡县| 新乡市| 茂名市| 潢川县| 绥滨县| 郑州市| 米易县| 北宁市| 佳木斯市| 安化县| 高阳县| 枣庄市| 吉安市| 丘北县| 托克托县| 介休市| 江津市| 安岳县|