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FDD6606_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252AA
數(shù)量：: 4779
說明：: MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

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FDD6606_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：38 ns
上升時間：12 ns
功率耗散：71 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：18 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252AA
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.006 Ohms
漏極連續(xù)電流：75 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD6606_Q的詳細信息，包括FDD6606_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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