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FDD6030L_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252AA
數(shù)量：: 4743
說明：: MOSFET 30V N&P-Channel Power Trench

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FDD6030L_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：29 ns
上升時間：7 ns
功率耗散：3.2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：47 S
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252AA
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0145 Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD6030L_Q的詳細(xì)信息，包括FDD6030L_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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