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FDD3510H

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-252(DPAK)
數量:
 5913  
說明:
 MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
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FDD3510H-TO-252(DPAK)圖片

FDD3510H PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:16 ns, 25 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:2 ns, 3 ns
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:2 ns, 5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Common Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.08 Ohms
漏極連續電流:4.3 A, - 2.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDD3510H的詳細信息,包括FDD3510H廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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