色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

FDC6310P_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SSOT-6
數量:
 4437  
說明:
 MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
暫無電子元件圖

FDC6310P_Q PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:10 ns
上升時間:12 ns
功率耗散:0.96 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SSOT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.125 Ohms
漏極連續電流:- 2.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC6310P_Q的詳細信息,包括FDC6310P_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 万山特区| 河西区| 宝鸡市| 祁门县| 光泽县| 新津县| 洮南市| 新龙县| 边坝县| 通渭县| 色达县| 津市市| 乐安县| 黄浦区| 泰顺县| 中超| 蕲春县| 吴旗县| 鄂州市| 华坪县| 苍南县| 渝北区| 思茅市| 中方县| 皮山县| 石渠县| 炎陵县| 丰顺县| 衡山县| 常山县| 正镶白旗| 宁乡县| 额尔古纳市| 昌邑市| 庆元县| 天全县| 华池县| 塘沽区| 武平县| 谷城县| 自治县|