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FDC6301N_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SSOT-6
數量:
 4365  
說明:
 MOSFET SSOT-6 N-CH 25V
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FDC6301N_Q PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:4 ns
上升時間:4.5 ns
功率耗散:0.9 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :0.25 S
下降時間:4.5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SSOT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.8 Ohms
漏極連續電流:0.22 A
閘/源擊穿電壓:8 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC6301N_Q的詳細信息,包括FDC6301N_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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