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FDC5612-G

廠家:
  onsemi
封裝:
 SuperSOT?-6
數量:
 6624  
說明:
 
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FDC5612-G PDF參數資料

中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):800mW(Ta)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):650 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):18 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):55 毫歐 @ 4.3A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):4.3A(Ta)
漏源電壓(Vdss):60 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:停產
包裝:PowerTrench?
系列:卷帶(TR)
品牌:onsemi

以上是FDC5612-G的詳細信息,包括FDC5612-G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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