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FDB8160_F085

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263AB
數量：: 5418
說明：: MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDB8160_F085 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：800
上升時間：18.9 ns
功率耗散：254 W
柵極電荷 Qg：187 nC
下降時間：27 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.5 mOhms
漏極連續電流：80 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB8160_F085的詳細信息，包括FDB8160_F085廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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