色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDB3632_F085

FDB3632_F085

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263AB-3
數量：: 7479
說明：: MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

FDB3632_F085 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：96 ns
上升時間：39 ns
功率耗散：310 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：84 nC
下降時間：46 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7.5 mOhms
漏極連續電流：80 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB3632_F085的詳細信息，包括FDB3632_F085廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ