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FDB2670

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 3078  
說明:
 MOSFET 200V N-Channel Pwr Trench
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FDB2670-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

FDB2670 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:FDB2670_NL
典型關閉延遲時間:26 ns
工廠包裝數量:800
上升時間:5 ns
功率耗散:93 W
最小工作溫度:- 65 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :24 S
下降時間:23 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263AB
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.13 Ohms at 10 V
漏極連續電流:19 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB2670的詳細信息,包括FDB2670廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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