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FDB16AN08A0

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 3705
說明：: MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench

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FDB16AN08A0-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

FDB16AN08A0 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：28 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：82 ns
功率耗散：135 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：30 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.013 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：58 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB16AN08A0的詳細(xì)信息，包括FDB16AN08A0廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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