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FDA38N30

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-3P-3,SC-65-3
數量:
 13827  
說明:
 MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET
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FDA38N30-TO-3P-3,SC-65-3圖片

FDA38N30 PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:30
功率耗散:312 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:60 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :6.3 S
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 125 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.07 Ohms
漏極連續電流:38 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:300 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDA38N30的詳細信息,包括FDA38N30廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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