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FDA18N50

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-3PN
數(shù)量:
 2709  
說明:
 MOSFET 500V N-CH MOSFET
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FDA18N50-TO-3PN圖片

FDA18N50 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:95 ns
工廠包裝數(shù)量:30
上升時間:165 ns
功率耗散:239 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :25 S
下降時間:90 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3PN
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.265 Ohms
漏極連續(xù)電流:19 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDA18N50的詳細(xì)信息,包括FDA18N50廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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