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FD401R17KF6C_B2

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 模塊
數(shù)量:
 3132  
說明:
 IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 650A
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FD401R17KF6C_B2 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:4
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
封裝形式:IHM73
最大工作溫度:+ 125 C
功率耗散:3.1 KW
柵極—射極漏泄電流:400 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流:650 A
集電極—射極飽和電壓:2.6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V
配置:Single
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
制造商:Infineon

以上是FD401R17KF6C_B2的詳細(xì)信息,包括FD401R17KF6C_B2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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