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FCI7N60

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK（TO-262）
數(shù)量：: 99
說明：: MOSFET HIGH_POWER

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FCI7N60 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：75 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：55 ns
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：32 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.6 Ohms
漏極連續(xù)電流：7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FCI7N60的詳細信息，包括FCI7N60廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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