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FCB11N60TM

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數(shù)量:
 8703  
說明:
 MOSFET HIGH_POWER
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FCB11N60TM-D2PAK(TO-263)圖片

FCB11N60TM PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:119 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時間:98 ns
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:56 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.38 Ohms
漏極連續(xù)電流:11 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FCB11N60TM的詳細信息,包括FCB11N60TM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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