
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發射極最大電壓:20 V
封裝形式:Module
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:150 W
柵極—射極漏泄電流:400 nA
在25 C的連續集電極電流:45 A
集電極—射極飽和電壓:1.55 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:3-Phase
產品:IGBT Silicon Modules
制造商:Infineon
以上是F3L30R06W1E3_B11的詳細信息,包括F3L30R06W1E3_B11廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!