色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 無源元件 > 電容器 > 薄膜電容器 > F1778468M2IBT0

F1778468M2IBT0

廠家：: Vishay/Roederstein
封裝：: 徑向
數量：: 5175
說明：: 薄膜電容器

一、本商品被瀏覽0次.

F1778468M2IBT0 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
特性：-
等級：X2
應用：EMI，RFI 抑制
引線間距：0.886（22.50mm）
端接：PC 引腳
高度 - 安裝（最大值）：0.768（19.50mm）
大小 / 尺寸：1.024 長 x 0.394 寬（26.00mm x 10.00mm）
封裝/外殼：徑向
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 110°C
ESR（等效串聯電阻）：-
介電材料：聚丙烯（PP），金屬化
額定電壓 - DC：630V
額定電壓 - AC：310V
容差：±20%
電容：0.68 μF
產品狀態：在售
包裝：F1778X2
系列：托盤
品牌：Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

以上是F1778468M2IBT0的詳細信息，包括F1778468M2IBT0廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電容器產品：

云母電容器硅電容器陶瓷電容器鉭電容器超級電容/超級電容器

薄膜電容器最新產品：