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F1778433M3IBT0

廠家:
  Vishay/Roederstein
封裝:
 徑向
數(shù)量:
 4599  
說明:
 薄膜電容器
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F1778433M3IBT0 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
特性:-
等級:X2
應(yīng)用:EMI,RFI 抑制
引線間距:0.886(22.50mm)
端接:PC 引腳
高度 - 安裝(最大值):0.610(15.50mm)
大小 / 尺寸:1.024 長 x 0.236 寬(26.00mm x 6.00mm)
封裝/外殼:徑向
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 110°C
ESR(等效串聯(lián)電阻):-
介電材料:聚丙烯(PP),金屬化
額定電壓 - DC:630V
額定電壓 - AC:310V
容差:±20%
電容:0.33 μF
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:F1778X2
系列:托盤
品牌:Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

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